Actualizado a diciembre del 2025
Convocatoria para 1 plaza de Gestión de Apoyo a la Docencia y a la Investigación en la Universidad de Granada — Oportunidad estable en Granada (Andalucía)
La Universidad de Granada ha publicado la convocatoria de acceso libre para cubrir 1 plaza de la Escala de Gestión de Apoyo a la Docencia y a la Investigación (Grupo A, Subgrupo A2). Se trata de un puesto adscrito a la Sala Limpia para Laboratorio de Nanoelectrónica y Materiales bidimensionales del CITIC-UGR, con régimen estatutario de funcionario de carrera.
El procedimiento de selección es de concurso-oposición. La fase de oposición consta de dos ejercicios eliminatorios (cuestionario tipo test y supuestos/pruebas prácticas) con un máximo de 70 puntos; la fase de concurso valora méritos con un máximo de 30 puntos. La convocatoria fija plazo de solicitud y requisitos específicos (titulación, nacionalidad, plazos para aportar documentación), y establece unas tasas de participación de 37,00 euros, con posibilidad de exenciones y bonificaciones (personas con discapacidad ≥33%, demandantes de empleo, víctimas del terrorismo, familias numerosas). El primer ejercicio de la oposición no podrá iniciarse antes del 1 de marzo de 2026.
Este artículo resume los aspectos clave de la convocatoria de la Universidad de Granada para la plaza de Gestión de Apoyo a la Docencia y a la Investigación. Es informativo: te recomendamos consultar siempre las bases oficiales publicadas en el Boletín Oficial y en la sede electrónica de la Universidad de Granada para confirmar plazos y detalles completos.
Requisitos del proceso selectivo: ¿qué necesitas para presentar tu solicitud?
Antes de inscribirte, es importante que verifiques y prepares la documentación requerida. A continuación, se recogen los requisitos específicos extraídos de las bases.
- Nacionalidad: Tener la nacionalidad española o ser ciudadano de un Estado miembro de la Unión Europea. También pueden participar en igualdad de condiciones cónyuges, descendientes y personas incluidas en los tratados de libre circulación de trabajadores, según lo establecido en la convocatoria.
- Edad: Tener cumplidos 16 años y no exceder la edad máxima de jubilación forzosa.
- Titulación exigida: Estar en posesión del título de Grado, Diplomado, Ingeniero Técnico, Arquitecto Técnico o su equivalente reconocido. Las titulaciones obtenidas en el extranjero deben aportar la homologación o acreditación correspondiente.
- No ser funcionario de carrera en la misma Escala de Gestión de Apoyo a la Docencia y a la Investigación de la Universidad de Granada.
- Pago de tasas: Derechos de participación: 37,00 euros. Ingreso en la cuenta ES71 2100 4224 3913 0072 1670 (CaixaBank) a nombre de «Pruebas Selectivas de Acceso a la Universidad de Granada». La solicitud electrónica debe ir acompañada del resguardo de la transferencia o justificante. La falta de acreditación del pago o de la exención implica exclusión.
- Exenciones y bonificaciones: Están exentos o bonificados los colectivos previstos (personas con discapacidad ≥33%, demandantes de empleo con condiciones, víctimas del terrorismo, familias numerosas con porcentajes del 100% o 50% según categoría). Consulta la base 3.5 para los requisitos de acreditación.
- Solicitud electrónica y plazo: La solicitud se presenta telemáticamente en la sede electrónica de la Universidad de Granada mediante el procedimiento «Procesos selectivos de PAS: Solicitud de admisión». El plazo es de 15 días hábiles desde la publicación en el Boletín Oficial del Estado (BOE).
- Adaptaciones por discapacidad: Si tienes reconocida una discapacidad ≥33% y precisas adaptación de tiempo o medios para la realización de ejercicios, indícalo en la solicitud y aporta el dictamen técnico facultativo que justifique las adaptaciones solicitadas.
- Declaración responsable: En la solicitud podrás declarar que cumples los requisitos; la documentación se acreditará en los plazos fijados en las bases.
Fases del proceso selectivo: estructura, puntuaciones y criterios
El proceso consta de dos fases claramente diferenciadas: fase de oposición (máx. 70 puntos) y fase de concurso (máx. 30 puntos). La puntuación final resulta de la suma de ambas fases; los méritos no sirven para superar la oposición.
Fase de oposición
La fase de oposición está compuesta por dos ejercicios eliminatorios. Es imprescindible superar cada uno para avanzar. A continuación, los detalles tal y como figuran en las bases:
- Primer ejercicio (tipo test): 100 preguntas de cuatro opciones (solo una correcta). Tiempo: 100 minutos. Calificación: 0 a 40 puntos. Se aplica un sistema de corrección que considera penalización por errores mediante la fórmula del Número de Preguntas Puntuables (NPP).
- Sistema de corrección (primer ejercicio):
Se calcula el NPP como: (número de respuestas correctas − número de respuestas incorrectas) / número de respuestas alternativas. En este caso, NRAP = 4. Las operaciones se obtendrán con tres decimales.
Para establecer la nota de corte (NC) se sigue: la puntuación mínima para superar el ejercicio será el 50% de la Media Aritmética de Referencia (MAR), sin que pueda ser inferior al 35% del número de preguntas válidas (NPV) determinado tras publicar la plantilla definitiva de respuestas. La MAR se obtiene calculando la media de los NPP iguales o superiores al percentil 95 del conjunto de NPP de todas las personas aspirantes.
La calificación final (CF) para quienes superen la nota de corte se establece mediante una regla de proporcionalidad en función de la Calificación Máxima del ejercicio (CME = 40) y la Puntuación Máxima obtenida (PM), con la fórmula indicada en las bases (CF = CME × NPP / PM), donde PM = máximo NPP entre todos los aspirantes.
El Tribunal publicará el cuaderno de examen y la plantilla de respuestas antes de la corrección; se abre un plazo de 3 días hábiles para reclamaciones a la plantilla. Después de resolver reclamaciones se publicarán las relaciones provisionales y definitivas con calificaciones.
- Segundo ejercicio (supuestos/prácticas): Consistirá en resolver uno o varios supuestos prácticos basados en el Bloque Específico del programa. Calificación: 0 a 30 puntos. Es necesario obtener al menos 15 puntos para superar este ejercicio. El Tribunal publicará con antelación los criterios de valoración y calificación. También es eliminatorio.
- Orden y convocatorias: El Tribunal convoca por llamamiento único y podrá dividir en sesiones; entre ejercicios debe transcurrir un mínimo de 3 días hábiles. El orden alfabético de actuación se inicia por la letra determinada por sorteo (letra «H» para las pruebas convocadas en 2025).
Fase de concurso
Participan únicamente las personas que hayan superado la fase de oposición. La fase de concurso tiene una puntuación máxima de 30 puntos y valora méritos documentados a la fecha de finalización del plazo de solicitudes.
- Servicios prestados (máx. 25 puntos):
- Servicios en la Universidad de Granada como personal funcionario en la misma Escala o como personal laboral equivalente: rendimiento valorado mediante el coeficiente indicado en las bases (0,40/30 puntos por día según la redacción de la convocatoria), acumulando hasta el máximo asignado).
- Servicios en otras universidades públicas: coeficiente inferior (0,20/30 puntos por día).
- Servicios en otras Administraciones públicas: coeficiente menor (0,10/30 puntos por día).
- Superación de ejercicios obligatorios en procesos previos (máx. 5 puntos): Se valora con 0,50 puntos por ejercicio obligatorio superado en anteriores convocatorias de la misma Escala o equivalentes, hasta un máximo de 5 puntos.
- La puntuación provisional de méritos se publicará para reclamaciones y, tras su resolución, se hará pública la valoración definitiva.
Análisis de la oposición y consejos prácticos
¿A quién va dirigida esta convocatoria? Principalmente a titulados universitarios con interés en el apoyo técnico a investigación y docencia en entornos de nanoelectrónica y salas limpias. Es una convocatoria de acceso libre, por tanto abierta tanto a recién titulados como a profesionales en activo que reúnan los requisitos.
Ventajas:
- Estabilidad laboral y condiciones como funcionario de carrera en la Universidad de Granada.
- Puesto técnico especializado en un laboratorio puntero (Sala Limpia del CITIC), con posibilidad de desarrollo profesional en I+D.
- Fase de concurso que permite valorar la experiencia previa y méritos, útil para aspirantes con historial laboral en universidades o administración.
Desventajas:
- Elevada exigencia técnica en el bloque específico: conocimientos de procesos de microfabricación, instrumentación y seguridad en sala limpia.
- Proceso competitivo por ser plaza única: cada detalle de la preparación y de la documentación de méritos contará.
Estrategias de preparación (específicas y aplicables a distintos perfiles):
- Plan de estudio personalizado: divide el tiempo entre el Bloque General (constitución, normativa básica del empleado público y sistema universitario) y el Bloque Específico (procesos de sala limpia, litografía, metrología, caracterización). Recomendación: 40% general / 60% específico si ya tienes base técnica.
- Preparación para el test tipo test: trabaja bancos de preguntas, simulacros a 100 minutos y aprende la estrategia de eliminación de respuestas. Ten en cuenta la fórmula de corrección (penaliza errores) y evita el ensayo sistemático sin criterio.
- Prácticas y supuestos: si puedes, dedica sesiones prácticas en laboratorios o talleres, y resuelve supuestos reales del anexo (equipos, procedimientos, seguridad). Prepara fichas rápidas con protocolos y parámetros clave (por ejemplo, procesos CVD, RIE, control de salas limpias).
- Documentación de méritos: reúne y ordena certificados de servicios, contratos, partes de trabajo y certificaciones de cursos con fechas y contenidos concretos. Para los servicios, calcula días trabajados y solicítalos por escrito a tu servicio de RRHH para justificar la valoración en la fase de concurso.
- Opositores con empleo: estructura microbloques de estudio (1,5–2 horas entre semana; 4–6 horas el fin de semana). Prioriza simulacros y repaso de contenidos concretos sobre lectura extensiva.
- Recursos externos: cursos específicos de sala limpia, formación en seguridad química y cursos de instrumentación (AFM, SEM, RIE) aumentan tu competitividad en la fase de concurso y en los supuestos prácticos.
- Gestión del proceso administrativo: no olvides el plazo de 15 días hábiles desde la publicación en el BOE para presentar la solicitud electrónica y el justificante de pago. Si necesitas exención, aporta los documentos exigidos (dictamen de discapacidad, certificado de demandante de empleo, certificados fiscales, etc.).
- Adaptaciones y accesibilidad: si precisas adaptación por discapacidad, solicita la adaptación en la solicitud y adjunta el dictamen técnico que motive tiempos o medios adicionales.
- Mentalidad y organización: trabaja con calendario de hitos (fecha de examen estimada —no antes del 1 de marzo de 2026— revisión de la plantilla, plazos para entrega de méritos tras superar la oposición). Ensaya gestión del estrés con simulacros cronometrados.
Consejos finales prácticos y comprobaciones imprescindibles:
- Comprueba la publicación en el BOE y conserva el justificante de la solicitud electrónica.
- No olvides adjuntar el resguardo bancario del pago de 37,00 euros o la documentación que acredite exención.
- Revisa los enlaces oficiales de la Universidad de Granada (sede electrónica y Servicio de Personal Técnico, de Gestión y de Administración y Servicios) para anuncios y publicación de tribunales, cuadernos y plantillas.
- Si tienes experiencia en otras universidades o administraciones, prepara la justificación pormenorizada (fechas, funciones concretas) para maximizar la puntuación en la fase de concurso.
En resumen: la convocatoria de la Universidad de Granada para la plaza de Gestión de Apoyo a la Docencia y a la Investigación es una oportunidad profesional estable y técnica en Granada (Andalucía). Su éxito dependerá de una preparación orientada al test tipo test y a los supuestos prácticos del bloque específico, así como de una documentación rigurosa de los méritos. No olvides revisar las bases oficiales y actuar dentro de los plazos establecidos.
Temario de la convocatoria para el puesto Gestión de Apoyo a la Docencia y a la Investigación en la Universidad de Granada
Este temario detalla los contenidos y requisitos necesarios para el proceso selectivo de acceso libre para cubrir una plaza en la Escala de Gestión de Apoyo a la Docencia y a la Investigación. La evaluación se llevará a cabo mediante un sistema de concurso-oposición, donde se valorarán tanto los conocimientos teóricos como la experiencia práctica de los aspirantes.
Bloque I: Programa General
- Tema 1: Constitución Española: Título Preliminar, Título I De los derechos y deberes fundamentales, y Título IV Del Gobierno y de la Administración.
- Tema 2: Texto Refundido de la Ley del Estatuto Básico del Empleado Público, aprobado por Real Decreto Legislativo 5/2015, de 30 de octubre: Título I Objeto y ámbito de aplicación y Título II Personal al servicio de las Administraciones Públicas. Ley 5/2023, de 7 de junio, de la Función Pública de Andalucía.
- Tema 3: Ley Orgánica 2/2023, de 22 de marzo, del Sistema Universitario. Título Preliminar, Título I: Funciones del sistema universitario y autonomía de las universidades, Título II: Creación y reconocimiento de las universidades y calidad del sistema universitario, Título III: Organización de enseñanzas, Título IV: Investigación y transferencia e intercambio del conocimiento e innovación y Título IX: Capítulo I. Régimen jurídico y estructura de las universidades públicas.
- Tema 4: Estatutos de la Universidad de Granada, aprobados por Decreto 231/2011, de 12 de julio, del Consejo de Gobierno de la Junta de Andalucía.
- Tema 5: Ley 14/2011, de 1 de junio, de la Ciencia, la Tecnología y la Innovación.
- Tema 6: Reglamento de actuación y funcionamiento del sector público por medios electrónicos, aprobado por el Real Decreto 203/2021, de 30 de marzo.
- Tema 7: Ley 31/1995, de 8 de noviembre, de Prevención de Riesgos Laborales.
- Tema 8: Ley Orgánica 3/2007, de 22 de marzo, para la igualdad efectiva de mujeres y hombres. Título Preliminar: Objeto y ámbito de la Ley, Título I: El principio de igualdad y la tutela contra la discriminación, Título IV: El derecho al trabajo en igualdad de oportunidades. Ley 4/2023, de 28 de febrero, para la igualdad real y efectiva de las personas trans y para la garantía de los derechos de las personas LGTBI.
Bloque II: Programa Específico
- Módulo A: Fundamentos y diseño de dispositivos
- Tema 1: Física avanzada de semiconductores: portadores, dopado, recombinación, transporte, modelos de dispositivos (diodos, BJT, MOSFET) y efectos de escala.
- Tema 2: Arquitecturas de dispositivos y circuitos integrados: CMOS planar y tecnologías avanzadas (FDSOI, FinFET a nivel conceptual), sensores, MEMS básicos y dispositivos optoelectrónicos.
- Tema 3: Diseño de circuitos integrados analógicos/mixtos para test de proceso: celdas de prueba, biasing, pads, ESD, referencias, anillos de test.
- Tema 4: Diseño de máscaras y layout: reglas de diseño, DRC/LVS, parásitos, topologías, retículas; herramientas CAD (p. ej., KLayout/Cadence).
- Tema 5: Fabricación de fotomáscaras: e-beam/laser writer, cromado, transparencia, resolución, limpieza y verificación de máscaras.
- Tema 6: Planificación de flujos de procesos: árbol de operaciones, compatibilidades químicas, ventanas térmicas y de materiales, documentación de procesos.
- Tema 7: Metrología dimensional y de espesor: perfilometría, elipsometría, reflectometría, AFM para rugosidad y espesor, calibraciones y trazabilidad.
- Módulo B: Operación de sala limpia y seguridad
- Tema 8: Clasificación de sala limpia y control de contaminación: ISO, flujo laminar, vestimenta, control de partículas, bio-contaminación, limpieza y verificación.
- Tema 9: Vacío y gases: bombas (rotativas, turbo-moleculares), MFCs, líneas de gases especiales, purgas, leak-check, seguridad en gases comprimidos.
- Tema 10: Gestión integral de seguridad: química (HF, peróxidos, solventes), criogénicos, láser/UV, alto voltaje y RF; permisos, formación, EPIs, hojas de datos (SDS).
- Tema 11: Gestión de residuos y normativa: segregación, etiquetado, neutralización, almacenamiento temporal, trazabilidad, normativa ambiental aplicable.
- Tema 12: Mantenimiento preventivo y resolución de incidencias: planes PM, repuestos críticos, diagnóstico de fallos en equipos de proceso y utilidades.
- Módulo C: Procesos de deposición y tratamientos térmicos
- Tema 13: CVD y PE-CVD: mecanismos de crecimiento, precursores, nucleación, uniformidad, tensiones, ejemplos (SiO₂, SiNₓ, a-Si, grafeno/2D a nivel práctico).
- Tema 14: ALD: química de superficie, secuencias, conformalidad con elevado «aspect ratio», materiales típicos (Al₂O₃, HfO₂, TiO₂), control atómico de espesor.
- Tema 15: Metalizaciones: evaporación térmica/e-beam y sputtering; capas de adhesión, stress film, pureza, tasas y máscaras de sombra; control de resistividad.
- Tema 16: Oxidación y difusión: hornos, RTP, atmósferas secas/húmedas, drive-in, perfiles y caracterización eléctrica de óxidos.
- Tema 17: Tratamientos térmicos y plasma: recocidos (forming gas), limpieza con O₂ plasma, descargas y compatibilidad con resinas. Recocidos con láser pulsado.
- Módulo D: Litografía, resinas, ataque y grabado
- Tema 18: Spin-coating y prebakes: viscosidad, perfiles, edge-bead removal, uniformidad.
- Tema 19: Exposición y revelado: fuentes (i-line, h-line, UV), dosis/tiempo, focus/exposure matrix, positivos/negativos (p. ej., SU-8), control de CD.
- Tema 20: Lift-off: bilayers, undercut, solventes, compatibilidad con metalización y limpieza post-proceso.
- Tema 21: Ataque húmedo: selectividad y anisotropía en BOE, KOH, TMAH, grabados metálicos; cinética, stop-layers y seguridad.
- Tema 22: RIE/ICP: química de grabado (fluorados/clorados), potencia RF, bias, passivation/etch, selectividad, perfil y rugosidad; endpoint detection.
- Tema 23: Paginación, corte y preparación de dies: scribing, dicing, limpieza post-corte, manejo de obleas y dies, prevención de contaminación y daños.
- Tema 24: Pasivaciones y recubrimientos protectores: SiNₓ/SiO₂, polímeros, barreras de humedad/iones, requisitos para encapsulado y test.
- Módulo E: Integración, ensamblaje y encapsulado
- Tema 25: Integración de procesos: compatibilidades químicas, térmicas y mecánicas; apilados; planificación de procesos y rendimientos.
- Tema 26: Die-attach y packaging: adhesivos, soldaduras, underfill, sustratos (FR-4, Al₂O₃, Si), tipos de encapsulado y estándares de pines.
- Tema 27: Wire bonding: ball/wedge, oro/aluminio/cobre, pull-test, shear-test, troubleshooting (heel crack, non-stick).
- Tema 28: PCB de prueba y zócalos: diseño para test (DFT), impedancias, ESD, blindajes y cableado de baja interferencia.
- Módulo F: Microfluídica y soft-lithography
- Tema 29: Diseño de chips microfluídicos: régimen laminar, difusivo, mezcladores, válvulas y interfaces con electrónica/sensórica.
- Tema 30: Moldeado y PDMS: resinas SU-8, curado, desmoldeo, tratamientos de superficie, unión PDMS-vidrio (plasma), fugas y biocompatibilidad.
- Tema 31: Impresión 3D para moldes: materiales, resolución, post-curado, compatibilidad química; validación dimensional y sellado.
- Módulo G: Caracterización eléctrica, óptica y estructural
- Tema 32: Medidas eléctricas DC/AC: I-V, C-V, barridos, ruidos, conexiones de baja impedancia, blindaje, masas y mitigación de interferencias.
- Tema 33: Técnicas avanzadas: cuatro puntas, TLMs, Van der Pauw y Hall; extracción de movilidad, concentración y resistencia laminar.
- Tema 34: Microscopías y espectroscopías: óptica/confocal, AFM, Raman, SEM-EDX, elipsometría; preparación de muestra, calibración y análisis de datos.
- Tema 35: Laboratorio de caracterización—gestión integral: colas de medida, Análisis del Sistema de medida, repetitibilidad y reproducibilidad, mantenimiento/calibración de equipos, libros de registro, control de calidad y trazabilidad.
- Módulo H: Propiedad Intelectual y transferencia
- Tema 36: Gestión de Propiedad Intelectual y Transferencia en Nanoelectrónica.